ADC_battery示例

源码路径：example/hal/adc/adc_battery

支持的平台

例程可以运行在以下开发板

em-lb525

概述

操作Hal函数单路ADC读取电池电压

例程的使用

编译和烧录

演示代码默认为单路ADC采样演示

切换到例程project目录，运行scons命令执行编译：

scons --board=em-lb525 -j8

执行烧写命令

build_em-lb525_hcpu\uart_download.bat

按提示选择端口即可进行下载：

please input the serial port num:5

例程输出结果展示:

接入电池前读取的电压log

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接入电池后读取的电压log

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log中打印value值原始寄存器值，Voltage是转换后的mV电压

ADC配置流程

设置电池Vbat接口对应的通道7

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在menuconfig中打开adc device

menuconfig --board=em-lb525

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注意:

打开对应的ADC的时钟源（默认代码开启，此处不是必须）

/* 2, open adc clock source  */
HAL_RCC_EnableModule(RCC_MOD_GPADC);

ADC校准

为了提高ADC精度，SiFli系列芯片出厂都进行了ADC校准（校准参数写入了芯片内的OTP区域），不同系列校准方法会有区别，
为了确保ADC精确度，每次上电，需要调用一次，如下是校准函数，该校准函数会通过读取OTP的参数，计算出斜率adc_vol_ratio和偏移量adc_vol_offset

static int utest_adc_calib(void)

ADC采用得到寄存器原始值后，调用函数example_adc_get_float_mv并根据校验得到的斜率adc_vol_ratio和偏移量adc_vol_offset算出最终的电压值
52系列芯片 CH8(Channel 7)内部通过2个相等的电阻分压后,连接到Vbat,要得到Vbat值,需要通过换算得到,为了减少分压电阻的误差,出厂已经对两颗电阻进行了校准,

static float adc_vbat_factor = 2.01; /* 校准52芯片内部CH8(Channel 7)内部两到Vbat的两个分压电阻 */
static void example_adc_vbat_fact_calib(uint32_t voltage, uint32_t reg)
{
    float vol_from_reg;

    // get voltage calculate by register data
    vol_from_reg = (reg - adc_vol_offset) * adc_vol_ratio / ADC_RATIO_ACCURATE;
    adc_vbat_factor = (float)voltage / vol_from_reg;
}
/* 采样CH8(Channel 7) 换算为Vbat电压值方法,参考 sifli_get_adc_value函数内代码 */
    float fval = sifli_adc_get_float_mv(fave) * 10; // mv to 0.1mv based
    *value = (rt_uint32_t)fval;
    if (channel == 7)   // for 52x, channel fix used for vbat with 1/2 update(need calibrate)
        *value = (rt_uint32_t)(fval * adc_vbat_factor); /* 采样的实际ADC电压,换算为Vbat电压值*/

异常诊断

ADC采样的电压值不对

检查ADC硬件是否连接正确，ADC采样的通道为固定IO口，不能任意指定，具体CH0-7为哪个IO，参照芯片手册
ADC输入电压范围为0V - 参考电压（52默认为3v3），不能超出输入范围
采用Ozone或者LightWork等调试工具，在启动ADC采样后，在线连接，对照芯片手册，查看对应的寄存器配置状态

ADC精确度不够

ADC校准参数是否获取和使用
分压电阻的精度是否达到要求
ADC参考电压是否稳定和是否有过大纹波(具体参考ADC电压参考芯片手册)

参考文档

EH-SF32LB52X_Pin_config_V1.3.0_20231110.xlsx
DS0052-SF32LB52x-芯片技术规格书 V0p3.pdf

更新记录

版本	日期	发布说明
0.0.1	10/2024	初始版本