外部存储器¶

FAQ1 Solution支持哪些外部存储？¶

参照Flash 分区表（flashmap）制作介绍，新建工程时，配置好分页 1：FLASH_Config
在分页 2：FLASH_Map中，
- 保留产品/项目需要的分区。（注意表里面有公式，有些单元格是自动生成的，删除和新增时注意保持链接和引用的正确性）
- 在第3列SIZE调整分区的大小（单位是KB），分区大小注意快对齐。确保第12列JUDGE（对齐/超界）为0,
- 确保第一个区域第10列OFFSET最后一行为0。表明全部分配完成

注意：

NAND/eMMC方案中，code bin 需要搬到PSRAM中执行（可参见方案选型 -> 选型原则)，因此为有效的使用PSRAM的容量，需要注意code bin的size定义在合适的尺寸
NAND/eMMC方案中，内置资源采用文件系统与Builtin_Res的方案，分页 2：FLASH_Map中分区是不一样的，因此注意选择Solution已有的工程模板做参考
双Nor Flash的方案，或Nor + SD卡（或NAND/eMMC）中，分页 2：FLASH_Map中会有两个分区的信息，注意分区放置内容的正确。

Solution通过 Flash ID 自动适配不同型号及规格的 Flash 驱动。分两种情况：

新 Flash 和已支持 Flash 功能一致（仅加 ID）
- 查 Flash 规格书，搜 9Fh/RDID，获取 3 个 ID： Manufacture_id（厂商） / Memory_type（扩展） / Memory_density（密度）和 mem_size（容量）
  - 其中，mem_size： 16Mb = 0x200000、 32Mb = 0x400000、 256Mb = 0x2000000）
- 打开flash_table.c（Nor）/ nand_table.c （NAND)，找到flash_cmd_id_pool_typX数组（X 为 0-5，选择与新 Flash 功能一致的），按FLASH_RDID_TYPE_T类型格式新增一行，注意保留末尾{FLASH_INVALID_ID, 0, 0, 0, 0}
- 编译固件测试即可
示例：新增 W25Q32
- 在规格书中，找到ID 0xEF/0x60/0x16，32Mb=0x400000
- 在flash_cmd_id_pool_typ0中加入一行{0xEF, 0x60, 0x16, 1, 0x400000}
新 Flash 和已支持 Flash 功能不一致（新增驱动）
- 打开flash_table.c（Nor）/ nand_table.c （NAND)，在FLASH_CMD_TABLE_ID_T枚举末尾加新类型（如NOR_TYPE6）
- 在flash_cmd_table_list数组末尾加配置，复制已有的模板，修改Manufacture_id / Memory_type / Memory_density ID，其余参数保持默认
- 新增flash_cmd_id_pool_typX数组（X = 新类型序号，如NOR_TYPE6 对应 flash_cmd_id_pool_typ6），填入 ID 和容量
- 在flash_cmd_id_pool数组末尾加&flash_cmd_id_pool_typX[0]，编译测试。

⚠️ 注意

NOR Flash 修改 flash_table.c，NAND Flash 修改 nand_table.c

ID 数组末尾必须保留{FLASH_INVALID_ID, 0, 0, 0, 0}，不可删除

在UartburnEx工具里添加对应的manufacture_id、 memory_type、 memory_density、 ext_flags、 mem_size，生成下载的Flash驱动