外部存储器

FAQ1 Solution支持哪些外部存储？

Solution支持NOR、NAND、eMMC、SD/TF卡，具体可参见方案选型 -> 选型原则，以及FLASH分配 -> 不同芯片PSRAM + Flash的典型配置

1. 支持从NAND、eMMC启动

2. 支持双NOR的方案

3. SD/TF卡需要先从NOR或NAND/eMMC启动后再挂载

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FAQ2 怎么调整Flash的分区？

1. 参照Flash 分区表（flashmap）制作介绍，新建工程时，配置好分页 1：FLASH_Config

2. 在分页 2：FLASH_Map中，

   • 保留产品/项目需要的分区。（注意表里面有公式，有些单元格是自动生成的，删除和新增时注意保持链接和引用的正确性）

   • 在第3列SIZE调整分区的大小（单位是KB），分区大小注意块对齐。确保第12列JUDGE（对齐/超界）为0,

   • 确保第一个区域第10列OFFSET最后一行为0，表明全部分配完成

注意：

1. NAND/eMMC方案中，code bin 需要搬到PSRAM中执行（可参见方案选型 -> 选型原则)，因此为有效的使用PSRAM的容量，需要注意code bin的size定义在合适的尺寸

2. NAND/eMMC方案中，内置资源采用文件系统与Builtin_Res的方案，分页 2：FLASH_Map中分区是不一样的，因此注意选择Solution已有的工程模板做参考

3. 双NOR Flash的方案，或NOR + SD卡（或NAND/eMMC）中，分页 2：FLASH_Map中会有两个分区的信息，注意分区放置内容的正确性。

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FAQ3 固件里怎么添加新的Flash驱动？

Solution通过 Flash ID 自动适配不同型号及规格的 Flash 驱动。分两种情况：

1. 新 Flash 和已支持 Flash 功能一致（仅加 ID）

   • 查 Flash 规格书，搜 9Fh/RDID，获取 3 个 ID： Manufacturer_id（厂商） / Memory_type（扩展） / Memory_density（密度）和 mem_size（容量）

     • 其中，mem_size： 16Mb = 0x200000、 32Mb = 0x400000、 256Mb = 0x2000000）

   • 打开 flash_table.c（NOR）/ nand_table.c（NAND)，找到 flash_cmd_id_pool_typX 数组（X 为 0-5，选择与新 Flash 功能一致的），按照 FLASH_RDID_TYPE_T 类型格式新增一行，注意保留末尾 {FLASH_INVALID_ID, 0, 0, 0, 0}

   • 编译固件测试即可

   示例：新增 W25Q32

   • 在规格书中，找到ID 0xEF/0x60/0x16，32Mb=0x400000

   • 在 flash_cmd_id_pool_typ0 中加入一行 {0xEF, 0x60, 0x16, 1, 0x400000}

2. 新 Flash 和已支持 Flash 功能不一致（新增驱动）

   • 打开 flash_table.c（NOR）/ nand_table.c（NAND)，在 FLASH_CMD_TABLE_ID_T 枚举末尾加新类型（如 NOR_TYPE6）

   • 在 flash_cmd_table_list 数组末尾加配置，复制已有的模板，修改 Manufacturer_id / Memory_type / Memory_density ID，其余参数保持默认

   • 新增 flash_cmd_id_pool_typX 数组（X = 新类型序号，如 NOR_TYPE6 对应 flash_cmd_id_pool_typ6），填入 ID 和容量

   • 在 flash_cmd_id_pool 数组末尾加 &flash_cmd_id_pool_typX[0]，编译测试。

⚠️ 注意

• NOR Flash 修改 flash_table.c，NAND Flash 修改 nand_table.c

• ID 数组末尾必须保留 {FLASH_INVALID_ID, 0, 0, 0, 0}，不可删除

具体可参考Flash Chipid 和Type配置指南

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FAQ4 烧录驱动里怎么添加新的Flash驱动？

在UartburnEx工具 里添加对应的 manufacturer_id、memory_type、memory_density、ext_flags、mem_size，生成下载的Flash驱动

具体可参考Flash Chipid 和Type配置指南 -> UartburnEx.exe工具

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FAQ5 用户固件flash驱动单独配置，通过宏配置参与编译

新代码在以下路径做了新的flash驱动管理，支持了更多特殊配置。 对应代码路径: sdk\customer\peripherals\nand
sdk\customer\peripherals\nor

nand加了单独的ecc status（纠错配置项），用来应对nand flash原厂修改了配置后，我们无法及时兼容时，直接通过ext_cfg配置对应纠错配置，以及设置出现可纠错时的数据迁移阈值

NAND_CFG_REGISTER(hyf4gq4utacae) =
{
    .id_type = {
        .manufacture_id = 0x01,  //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .memory_type = 0x35,     //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .memory_density = 0x01,  //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .ext_flags = 0x70,       //平台对不同flash兼容时要求配置的flags项，注意看配置说明，每个二进制位代表不同含义
        /*
            ext_flags： 8bit的意义，目前nand flash只用了bit 1 – bit7
            bit 0：Nand flash，该bit无意义，该bit 需要设置为0，
            bit 1：nand flash plane 标志位，1：两个plane；0：无双plane（常见）
            bit 2：nand flash page（页）大小标识位, 0：为常见默认的每个page为2048；1：为每个page为4096
            bit 3：NAND flash block（块）大小标识位, 0：为常见的每个block（块）为 64 pages（页）；1：为每个每个block（块）为 128 pages（页）
            bit 4 - 7：for NAND ECC status mode as NAND_ECC_MODE_T, 为ECC标识位
        */
        .mem_size = 0x20000000   //flash大小，从flash规格书确认
    },
    .cmd_tbl_type = NAND_TYPE3,  //平台对不同flash兼容时要求配置的type项，注意看配置说明，每个type对应的flash cmd命令有区别
    .ext_cfg = {
        .ecc_err_mask = 0x8,     
        // ecc status value 3 means uncorrectable error 
        /*这里为什么配置0x8,按照原厂说明，他们最新规格书，两个状态位。没有任何不可纠正错误。所以这里填了一个不可能读到的值。
        11=5-6 errors(Rewrite recommended)也可纠正
        10=3-4 errors corrected
        01=1-2 errors corrected
        00=Normal*/

        /*单独管理的nand flash ecc纠错走的是这里的配置，而不是ext_flags bit 4 -7的配置
        例如：有4位状态位, 只有超过1000b后无法纠正。这里按照提示就是1111b无法纠正，是0xF。而且只有一个无法纠正位
        那ecc_err_mask = (1 << 15),     //如果有多个无法纠正的值，把值`|`上再赋值给`ecc_err_mask`就行
            ecc_err_mask = 0x8000,
            0000b = No bit errors were detected during the previous read algorithm.
            0001b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 1.
            0010b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 2.
            0011b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 3.
            0100b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 4.
            0101b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 5.
            0110b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 6.
            0111b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 7.
            1000b = bit errors were detected and corrected, error bit number = 8.
            1111b = Bit errors greater than ECC capability(8 bits) and not corrected.
        */

        .ecc_rewrite_mask = 0x2     
        // ecc status value 2 trigger dhara copy
        /* 对于可纠错的ecc 错误，配置一个阈值。 到了多少bit可纠正错误后，读出nand里的数据做下数据迁移。原块擦除，提升nand使用寿命。
        例如前面的4个状态位，只有超过8bit无法纠错。
        你可以配置1bit ~ 7bit任意一个值作为阈值。值越小，迁移越频繁，对功耗影响越大，也会影响flash使用寿命。 
        nand读，写，擦是有使用寿命的，注意按需配置。
        */
    }
};

nor flash增加了对不同otp规格的偏移地址配置，通过ext_cfg.otp_base配置:

NOR_CFG_REGISTER(en25qx128a) =
{
    .id_type = {
        .manufacture_id = 0x1C,  //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .memory_type = 0x71,     //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .memory_density = 0x18,  //flash id每颗flash唯一，查flash规格书，搜9Fh
        .ext_flags = 0x0,        //bit 0: 用来标识otp地址是否要修改为otp_base的值。配置0走默认的0x0000的otp地址
        .mem_size = 0x1000000    //flash大小，从flash规格书确认
    },
    .cmd_tbl_type = NOR_TYPE0,   //平台对不同flash兼容时要求配置的type项，注意看配置说明，每个type对应的flash cmd命令有区别
    .ext_cfg = {
        .otp_base = 0xFFC000     //从flash规格书确认otp地址参数，一般42h,44h,48h会有介绍otp地址是多少
    }
};

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FAQ6 FLASH 分区表里的几个 sheet 分别什么时候需要改？

客户调整 Flash 空间时，可以先按修改目的定位到对应 sheet：

1. 换 Flash、改 Flash 总大小或对齐方式时，修改 FLASH_CONFIG；

2. 新增/删除分区、调整分区大小或文件系统挂载路径时，修改 FLASH_MAP；

3. 需要把图片、字体、外置应用等资源放到指定文件系统路径时，修改 FS_RES_PATH；

4. 需要重定义二级 bootloader、ftable 等地址宏时，修改 MEM_Map_Customize。

修改后建议重新编译，并检查生成的 flash_map.h、打包日志和烧录文件是否符合预期。详细字段说明请参考 FLASH分区，分区增删请参考 如何进行分区的添加/删除。

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