eFuse 使用¶

FAQ1 eFuse原理及作用¶

eFuse是一种通过熔化金属熔丝实现数据存储的一次性可编程存储器，其数据一旦写入便无法修改或擦除。

eFuse广泛应用于存储设备唯一身份识别码（ID）、加密密钥等敏感信息，以确保数据安全性和完整性。

FAQ2 思澈量产芯片eFuse存储区域¶

思澈量产的 SF32LB55X / SF32LB56X / SF32LB58X / SF32LB52X 系列芯片，eFuse 共 256 Bytes，分为 BANK0->BANK3 四个区域，每个区域 32 Bytes，其中 BANK0 和 BANK3 已经占用，用户可以使用 BANK1 和 BANK2。

FAQ3 什么场景会使用eFuse保存数据¶

思澈量产的 SF32LB55X / SF32LB56X / SF32LB58X 系列芯片都有内封 FLASH，一般来说用户的一些特殊数据可以保存在内封 FLASH 的 OTP 区域即可，基本上不需要使用 eFuse。

思澈量产的 SF32LB52X系列芯片，大部分都没有内封 FLASH，用户的一些特殊数据，如算法加密码等需要保存在 eFuse。

概括来说，有内封 FLASH 的芯片，建议使用 FLASH 的 OTP 区域，没有内封 FLASH 的芯片，如无其他可用方案，可以使用 eFuse，需要注意最多 64 Bytes可用。

FAQ4 eFuse写数据的硬件要求¶

对于 SF32LB55X / SF32LB56X / SF32LB58X 系列芯片，读写 eFuse 时硬件上没有特殊要求。

对于 SF32LB52X 系列芯片，写 eFuse 时硬件上要求 PA30 必须外供 2.5V，且 AVDD_ANA 不低于 2.5V。

FAQ5 eFuse读写API¶

/**
 * @brief  Write data to efuse starting from bit_offset
 * @param bit_offset bit_offset in efuse, must be 32bits aligned, bank0: 0~255, bank1: 256~511, bank2: 512~767, bank2: 768~1023
 * @param data point to the data to be written
 * @param size data size in byte, must be multiple of 4bytes and written data cannot cross bank boundary
 * @retval size successfully written
 */
int32_t HAL_EFUSE_Write(uint16_t bit_offset, uint8_t *data, int32_t size);

/**
 * @brief  Read data to efuse starting from bit_offset
 * @param bit_offset bit_offset in efuse, must be 32bits aligned, bank0: 0~255, bank1: 256~511, bank2: 512~767, bank2: 768~1023
 * @param data point to buffer to save read data
 * @param size data size in byte, must be multiple of 4bytes and read data cannot cross bank boundary
 * @retval size successfully read
 */
int32_t HAL_EFUSE_Read(uint16_t bit_offset, uint8_t *data, int size);

FAQ6 SF32LB52X芯片烧录算法加密数据到eFuse完整方案¶

SF32LB52X烧录算法加密数据到 eFuse，solution 提供如下方案：

对于裸芯片烧录，需要制作烧录底座及烧录夹具，若是已经贴片在PCBA板上则需要制作烧录夹具，硬件上需要满足 FAQ2 描述。
方案提供了一个运行在 ram 的工程，用户可以在工程中添加算法计算代码并调用 API 将数据写入 eFuse。请参考算法调试工程，按照附件中说明文档描述使用即可，附件中的示例工程是运行在ram上的，提供了动态库供用户通过串口将ram bin下载到目标芯片运行。